虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
成熟焦饼的火焰颜色应为（）。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
要缩小焦饼上下的温差，应（）空气过剩系数。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
成熟的焦饼中心温度为（）℃
正常情况下，焦饼中心温度每季度测量两次。
焦饼温度一般控制在1000±50℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
在同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变（）。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
为提高炼焦时焦饼的块度应适当增加（）
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10℃。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10？5℃。（)
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
一般情况下，配煤水分每波动1%，焦饼中心温度将变化（）
