改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
焦饼中心温度是确定标准火道温度的依据，同时又是确定机、焦侧温度差依据。(）
成熟的焦饼中心温度为（）℃
装入煤水分变化1％，焦饼中心温度和标准温度有什么变化
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
煤饼中心温度上下温差不超过150℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
在同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变（）。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
为什么要测量焦饼中心温度？
规定的焦饼中心温度（）。
焦饼中心温度为900±50℃。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10℃。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
