机、焦侧标准火道的温度差，是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标，焦侧的火道温度比机侧要低。
虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
煤隔绝空气加热，经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段，当焦饼中心温度达到（），最终成为成熟的焦炭。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
规定的焦饼中心温度（）。
机焦侧标准温度的温度差，是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标，焦侧的立火道比机侧要低一些。
成熟的焦饼中心面上有一条缝，一般称焦缝，其形成的原因是（）。
焦饼中心温度为900±50℃。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
规定焦饼中心温度的范围为1000℃±100℃。此题为判断题(对，错)。
成熟的焦饼中心处有一条缝。这是由于两面加热，胶质层在中心汇合所致。
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
为提高焦炭热强度，焦饼中心温度取1050℃为好。（)
