机、焦侧标准火道的温度差，是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标，焦侧的火道温度比机侧要低。
改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
成熟的焦饼中心温度为（）℃
配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
煤隔绝空气加热，经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段，当焦饼中心温度达到（），最终成为成熟的焦炭。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
机焦侧标准温度的温度差，是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标，焦侧的立火道比机侧要低一些。
焦炭成熟与否是调火班的问题，所以推焦车司机不需要看焦饼情况。
测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标？（）
成熟的焦饼中心面上有一条缝，一般称焦缝，其形成的原因是（）。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
成熟的焦饼中心处有一条缝。这是由于两面加热，胶质层在中心汇合所致。
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
装入煤的质量改变太大时，例如，配煤中的水分和挥发分改变3%，堆密度改变5%以上时,应该测量焦饼中心温度。（)
为提高焦炭热强度，焦饼中心温度取1050℃为好。（)
