当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
不拆线测量电容式电压互感器tgδ及电容量时，需要注意哪些事项？（）
在“预规DL/T 5961996”中，对（）等绝缘，因为缺陷的集中性及体积大，通常不做tgδ测试。而对互感器、套管、电容器等则要做tgδ测试。
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
测量变压器的套管tgδ时，严格要求表面状况（）。
试品电容量约为15000pf，当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在()档
测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。
电容型变压器套管在安装前必须做两项实验：tgδ及电容量的测量。
用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
测量1600kVA及以下变压器连同套管一起的直流电阻时，各相绕组相互之间的差值不应大于三相平均值的（）
测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差（）
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
35kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（)%
