离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
什么是离子注入损伤？
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？
离子注入的沟道效应
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
碱水驱注入清水或淡盐水的目的是清除油层中的含（）等高价离子的地层水。
油田注入水主要水质标准是铁离子
熔嘴电渣焊的缺点之一是设备复杂且要求高。
射孔完井的缺点是（），油层裸露面积小，油气注入井中的阻力大。
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
离子注入后退火的作用是什么？
离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
注入离子在耙内的能量损失的过程？
离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
7、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是
下列描述属于离子注入的特点是（）
题5、以下不是离子注入特点的是 。
