在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。
对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工,而离子刻蚀加工主要是通过()效应对工件进行加工。
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
光刻的本质是什么?
光刻和刻蚀的目的是什么?
链接物理结构是把逻辑上连续的文件信息依次存放到()中。文件的这种物理结构的优点是:()、(),其缺点是()时,要依次查找物理块号,降低了存取速度。
微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。
电解液注入蓄电池内以后,要静止放置5~8h,才能进行充电。
装有本质安全电路和非本质安全电路,且结构使非本质安全电路不能对本质安全电路产生不利影响的电气设备就是关联设备。
任何一种液态金属注入铸型以后,从浇注温度冷却至室温都要经过三个联系的收缩阶段,即()、()和()。
将文档中一部分内容复制到别处,首先要进行的操作是()。
离子注入后为什么要进行退火?
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
由信息到知识,本质上是()发现的过程,是把()转化为()的过程。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
切割用的等离子弧是把通常的自由电弧的弧柱进行强迫的()、()和()而获得的。
已浇筑的结构上表面混凝土要加以保护,必须在混凝土强度达到()以后,方准在面上进行操作及安装结构用的支架和模板。
马克 · 帕克被任命为耐克的CEO以后,对耐克的运作方式进行了全面改革,将该品牌从以前以子品牌和产品为基础的结构模式,改为7个“顾客导向型”产品类别。“顾客导向型”本质是( )。
函数strcpy(s1,s2)功能是把字符串s1复制到字符数组s2中
46、光刻工艺流程:打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
【单选题】直接调制是把要传递的信息转变为()信号注入半导体光源,从而获得调制光信号。