离子注入
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
离子注入的沟道效应
碱水驱注入清水或淡盐水的目的是清除油层中的含（）等高价离子的地层水。
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
离子注入表面改性
油田注入水主要水质标准是铁离子
离子注入后为何退火？
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
离子注入后退火的作用是什么？
离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
离子注入后为什么要退火？
离子注入后为什么要进行退火？
离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
7、能够挑选出唯一需要注入离子的部分是
下列描述属于离子注入的特点是（）
