硅二极管的死区约为（）V左右。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
硅二极管的过渡区电压大致在（）V。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
通常硅管的死区电压约为（）
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管（）
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS...
硅二极管死区电压为（）V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
