二极（硅）管的死区电压为（）。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
硅稳压二极管的正向电阻约为（）。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
通常硅管的死区电压约为（）
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
鉴别硅管和锗管时，可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右（）
在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS...
硅二极管死区电压为（）V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
