硅管的死区电压约为（）。
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
硅PN结的正向导通电压约为（）.
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。
硅管的导通电压约为0．3V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
硅管的导通电压为（）
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
12在如图所示稳压二极管电路中，已知UZ1=7V，UZ2=3V，两管正向导通电压均为0.7 V，该电路输出电压为多大？（ ）。9ac8a4669093d70d67d259ec87ba5a0f.gif
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
通常硅管的死区电压约为（）
硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
设图8.2.17中各集成运放的最大输出电压+U<sub>OPP</sub>=±12V，稳压管的稳定电压U<sub>Z</sub>=6V，稳压管和二极管的正向导通电压U<sub>0</sub>=0.7V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
高压二极管的正向导通电阻为（)。
