如附图所示,制造半导体元件时,常常要精确测定硅片上二氧化硅薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使其形成劈尖,利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42,siO2的折射率为1.5,入射光波长为589.3nm,观察到7条暗纹。问SiO2薄膜的厚度h是多少?
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时间:2023-02-12 18:56:48
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所谓集成电路,指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的微型化的电子电路或系统。
A . 正确
B . 错误
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从示波器上检测某汽车上硅整流发电机的电压波形如附图所示,这说明该发电机工作是处于()状态。
A . 正常
B . 定子线圈有开路点
C . 有开路的硅管
D . 有一硅管短路
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在半导体制造业中,最早的互连金属是(),在硅片制造业中最普通的互连金属是(),即将取代它的金属材料是()。
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制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。
A、半导体材料的霍尔常数比金属的大
B、半导体中电子迁移率比空穴高
C、半导体材料的电子迁移率比较大
D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
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集成电路中的元件是用()的工艺在同一块硅片上大批制造的,所以其性能比较一致。
A . 特殊
B . 专用
C . 相同
D . 不同
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判断数控车床(只有X、Z轴)圆弧插补的顺逆时,观察者沿圆弧所在平面的垂直坐标轴(Y轴)的负方向看去,顺时针方向为G02,逆时针方向为G03。通常,圆弧的顺逆方向判别与车床刀架位置有关,如附图3-1所示,正确的说法如下()。
A . A、附图1a表示刀架在机床内侧时的情况
B . B、附图1b表示刀架在机床外侧时的情况
C . C、附图1b表示刀架在机床内侧时的情况
D . D、以上说法均不正确
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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。
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沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片()的不希望有的物质。
A . 功能
B . 成品率
C . 物理性能
D . 电学性能
E . 外观
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所谓集成电路,指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的电子电路。
A . 正确
B . 错误
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一平面简谐波的波动方程为y=0.1cos(3πt-πx+π)(SI)t=0时的波形曲线如附图所示,则()。(A)O点的振
一平面简谐波的波动方程为y=0.1cos(3πt-πx+π)(SI)t=0时的波形曲线如附图所示,则()。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961846215275378.png' />
(A)O点的振幅为-0.1m.
(B)波长为3m
(C)a、b两点间相位差为π/2
(D)波速为9m•s-1
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已知凸轮按逆时针方向作等速回转,其基圆和偏距圆如附图4-41(a)所示,从动件在推程、远休止阶段
已知凸轮按逆时针方向作等速回转,其基圆和偏距圆如附图4-41(a)所示,从动件在推程、远休止阶段的位移线图如附图4-41(b)所示.试求:
(1)画出推程阶段和远休止阶段的凸轮廓线;
(2)标出凸轮从起始位置回转180°时,凸轮廓线上B点的压力角α<sub>B</sub>;
(3)作出当ω=10rad/s时,从动件在上述阶段的速度、加速度线图;
(4)说明在何处产生何种冲击?
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/97817680568343.png' />
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n型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件,目前用的较多的半导体材料有锗、锑化铟、砷化铟。()
是
否
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四条平行的载流无限长直导线,垂直的通过一边长为a的正方形顶点,每条导线中的电流都是I,方向如附图所示
(1)求正方形中心的磁感应强度B
(2)当a=20厘米,I=20安时,B等于多少
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-16/963755778559461.png' />
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一电路如附图,已知ε1=12伏特,ε2=6.0伏,r1=r2=R1=R2=1.0欧,通过R3的电流I3=3.0欧,方向如附图所示.求:(1)通过R1和R2的电流;(2)R3的大小。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-16/963748234707978.png' />
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设有如附图所示的几何体,半球表面是绝热的,底面被一直径 (D=0.2m)分为1. 2两部分。表面1为灰体
设有如附图所示的几何体,半球表面是绝热的,底面被一直径 (D=0.2m)分为1. 2两部分。表面1为灰体,T1= 550K,<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-20/956224355915667.png' />=0.35,表面2为黑体,T2=330K. 试计算表面1的净辐射损失及表面3的温度。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-20/956224369422512.png' />
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边长为l=0.1m的正三角形线圈放在磁感应强度B=1T的均匀磁场中,线圈平面与磁场方向平行。如附图所示,使线圈通以电流I=10A,求:
(1)线圈每边所受的安培力;
(2)对00轴的磁力矩大小。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184509726903.png' />
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如附图所示,有一电子以初速度v0沿与均匀磁场B成α角度的方向射入磁场空间。试证明当图中的距离时
如附图所示,有一电子以初速度v0沿与均匀磁场B成α角度的方向射入磁场空间。试证明当图中的距离<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184333374816.png' />时(其中me为电子质量,e为电子电量的绝对值,n=1,2,..),电子经过一段飞行后恰好打在图中的O点。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184360868389.png' />
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如附图所示,设半径为R的带电薄圆盘的电荷面密度为σ,并以角速率w绕通过盘心垂直盘面的轴转动,求圆盘中心处的磁感强度。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-28/962184025344198.png' />
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如附图所示,用余弦函数描述一简谐振动.已知振幅为A,周期为T,初相φ=-π/3,则振动曲线为()
(A)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/96184305271749.png' />
(B)
(C)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961842904128991.png' />
(D)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961842887169021.png' />
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在边长为a的六边形顶点上,分别固定有质量都是m的6个质点,如附图所示.试求此系统绕下列转轴的转动惯量:
(1)设转轴I、II在质点所在的平面内,如附图(a)所示;
(2)设转轴III垂直于质点所在的平面,如附图(b)所示,
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-24/961841071680181.png' />
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请列举不同塑料包装容器成品与生产成型工艺的对应关系,并附图。如化妆品(再具体一些)-注射成型-工艺特点:外形不规则、尺寸精确。(请参考教材P241-244)。
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4、在半导体制造工艺的光刻工艺中,带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序,“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么?
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已知建设项目投资组成情况及分类造价指数资料如附图380所示,求该项目的总造价指数。
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如附图所示。用泵将容器中的蜂密以6.28×10<sup>-3</sup>m<sup>3</sup>/s的流量送往高位槽中,管路长(包括局
如附图所示。用泵将容器中的蜂密以6.28×10<sup>-3</sup>m<sup>3</sup>/s的流量送往高位槽中,管路长(包括局部阻力的当量长度)为20m,管径为0.1m,蜂蜜流动特性服从幂律τ=<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-20/974711666441743.jpg' />,密度ρ=1250kg/m<sup>3</sup>,求泵需提供的能量J/kg。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-20/974711692665243.jpg' />