试述光刻加工的主要阶段？
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
光刻的作用是什么？
什么是正光刻胶，负光刻胶？
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻的本质是什么？
光刻和刻蚀的目的是什么？
光刻工艺分为哪些步骤？
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
什么是负性光刻？正性光刻？
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
光刻工艺包括哪些工艺？
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
17、光刻胶的主要性能指标包括： 。
