对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
光刻的作用是什么？
什么是正光刻胶，负光刻胶？
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻和刻蚀的目的是什么？
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
什么是负性光刻？正性光刻？
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
15、光刻技术的三大要素是： 。
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
