对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
光刻的作用是什么？
什么是正光刻胶，负光刻胶？
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻的本质是什么？
什么是负性光刻？正性光刻？
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
本世纪60年代，Bradburn提出了一个重要发现，他认为，正性情感与负性情感并不是同一维度的两个方面，而是两个彼此独立的维度，并且二者都与主观幸福感相关。
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
31、涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
从参加实验的这l00多个人所在的整个社会群体来看，当写信者与自己不相似的时候，信的正性语气与负性语气所引起的归还钱包的比率差异最可能为（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响
