光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
光刻工艺分为哪些步骤？
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
什么是负性光刻？正性光刻？
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
光刻工艺包括哪些工艺？
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
16、光刻的工艺要求是： 。
