用于吸收中间继电器线圈产生的反电动势的二极管串电阻回路中,电阻的取值不宜过大,在直流电压为110-220V时,选取的电阻值为（）较为合适.
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
硅二极管的死区约为（）V左右。
在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
计算题：某直流回路设计的额定值为48V/1000A，在蓄电池单独放电时，实际供电的电压为50V，电流为800A，对三个部分所测得压降为0.3V、0.5V及1.2V，问该直流回路压降是否合格？
锗材料二极管的死区电压为（）V。
用于吸收中间继电器线圈产生的反电动势的二极管串电阻回路中,电阻的取值不宜过大,在直流电压为110-220V时,选取的电阻值为250-300欧较为合适.
某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压UA=1.2V，UB=0.5V，UC=3.6V。试问该三极管是？
硅材料二极管的死区电压为（）V。
当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
当二极管外加的正向超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
25T型客车的蓄电池组电压降到92V+0.5V时,应动作（）
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
在25ºC时，某二极管的开启电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
硅二极管死区电压为（）V。
5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
