对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻工艺分为哪些步骤？
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
光刻工艺包括哪些工艺？
根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用？
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
16、光刻的工艺要求是： 。
