高含盐脱水工艺如实行低温脱水可采用低温破乳剂，各段脱水温度均控制在（）℃。
高含盐脱水工艺要求一段、二段脱水温度均在（）℃。
分子筛脱水工艺中，用于再生的气流露点愈高，则要达到一定的再生质量所需要的再生温度（）
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
沸点溶剂脱水烘焙磺化法目前多采用（）
在膜分离法脱水工艺中，提高反吹气温度，脱水深度（）。
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
在烘焙过程中，温度越高，咖啡豆（）
三甘醇脱水工艺中，甘醇贫液入塔的温度宜高于气流温度（）
我国最流行的面包烘焙工艺是（）。
吊索塔架施工中，焊接H型钢焊接时使用的焊剂必须经过烘焙，烘焙约1小时，温度（）～300℃。
光刻工艺包括哪些工艺？
电化学脱水工艺一般分为三段，采用不同的脱水工艺产生的水的温度（），因而便于水处理。
低含水原油脱水工艺中要求粘度在25mm2/s的含水原油温度控制在50～60℃。（）
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
咖啡生豆烘焙过程中，烘焙温度会对咖啡豆的颜色造成变化。（)
