虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
成熟的焦饼中心温度为（）℃
装入煤水分变化1％，焦饼中心温度和标准温度有什么变化
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
为什么要测量焦饼中心温度？
成熟的焦饼中心面上有一条缝，一般称焦缝，其形成的原因是（）。
焦饼中心温度为900±50℃。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
规定焦饼中心温度的范围为1000℃±100℃。此题为判断题(对，错)。
成熟的焦饼中心处有一条缝。这是由于两面加热，胶质层在中心汇合所致。
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
焦饼中心温度一般规定为1000±50℃（）
提高焦饼中心温度，能够增加煤气产率。（)
