YB25型软盒包装机商标纸涂胶位置胶点不全故障产生的原因之一是涂胶爪与胶辊之间间隙调整不当，正常间隙为（）mm。
对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
什么是正光刻胶，负光刻胶？
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
当印刷数量较大时，为提高印版的耐印力，可在版面显影后，进行加温烘烤处理。为了保护氧化层，烘烤前在版面上涂布一层耐热不可逆性保护胶液。
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
31、涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
