说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
火焰原子吸收光度法测定水中铁时，当硅的浓度大于20mg／L时，对铁产生负干扰。
火焰原子吸收光度法测定水中铁时，当硅的浓度大于20mg/L时，对铁产生负干扰。
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
火焰原子吸收光度法测定水中锰时，当硅的浓度大于50mg/L时，对锰产生正干扰。
火焰原子吸收光度法测定水中锰时，当硅的浓度大于50mg／L时，对锰产生正干扰。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
离子注入掺杂的表面浓度不受固溶度限制，既可做浅结低浓度，也可做深结高浓度（）
以下掺杂浓度，哪些可以通过扩散工艺来实现（）
硅的还原反应速度与温度、反应接触面积及时间和SiO2的气相分压等有关。（)
1、为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
与普通二极管相比，发光二极管的掺杂浓度比普通二极管很多（）
