硅二极管的死区约为（）V左右。
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
硅整流二极管在正向电压的作用下，电流由（）流通。
硅稳压二极管要求工作在其特性曲线的（）区，因此在使用时必须（）连接。
锗二极管的过渡区电压大致在（）。
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。
硅稳压二极管要求工作在其特性曲线的（）区，因此在使用时必须反向连接。
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅材料二极管的死区电压为（）V。
二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管（）
2、在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；
硅二极管死区电压为（）V。
电路如图题3.4.7所示，D<sub>1</sub>、D<sub>2</sub>为硅二极管，当v<sub>N</sub>=6sinwtV时，试用恒压降模型分析电路，绘出输出电压v<sub>0</sub>的波形。
