虽然机、焦侧焦饼中心温度一致,但焦侧焦饼平均温度()机侧,故随焦饼带走的热量过多,因此,焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
焦饼中心的温度为()
焦饼中心温度一般控制在()。
改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。
成熟的焦饼中心温度为()℃
装入煤水分变化1%,焦饼中心温度和标准温度有什么变化
正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。
配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么?
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。
测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为()℃。
测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
规定的焦饼中心温度()。
测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标?()
测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。()
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟()
装入煤的质量改变太大时,例如,配煤中的水分和挥发分改变3%,堆密度改变5%以上时,应该测量焦饼中心温度。()