硅二极管正向导通电压应为（）。
硅PN结的正向导通电压约为（）.
硅二极管的正向导通电压一般是（）V。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
硅二极管反向导通电流一般（）。
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。
硅管的导通电压约为0．3V。
常温下，锗材料PN结正向导通电压为（）左右。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
题目45.在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）
（）用R×1k档对PN结进行测量时，硅材料PN结的正向阻值为3k~7k欧姆之间，反向阻值为无穷大
（）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
4、发光二极管的正向导通电压一般在（）V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
