虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
配合煤的挥发份适当提高可增加焦炉煤气的产率。（）
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
鼓风机前煤气吸力的增加和温度的提高，会（）鼓风机所需的轴功率。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
成熟的焦饼中心温度为（）℃
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
为什么要测量焦饼中心温度？
炼焦煤中的（）提高，则焦炉煤气产率增加。
规定的焦饼中心温度（）。
为提高炼焦时焦饼的块度应适当增加（）
焦饼中心温度为900±50℃。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
为提高焦炭热强度，焦饼中心温度取1050℃为好。（)
焦饼中心温度一般规定为1000±50℃（）
